在生产太阳能单晶多晶硅片过程中，都会产生晶棒的头尾边皮和切割后的残余。其表面在加工过程中残留了切割液、金属离子、指纹和附带杂质等。
1、通常是把部分料在回用过程中需通过碱洗，从产生至清洗回用这个过程中要注意三个事项：
A.残余料产生到清洗时间尽量要短;
B.硅料尽量浸入溶液，不要裸露在空气中;
C.操作过程中应避免指纹留在硅料上。
2、清洗过程：
超声碱洗→超声漂洗→超声漂洗
3、清洗工艺：(一般情况)
清洗槽 溶液 时间 温度 超声功率
超声碱洗 碱+ID 20min 60℃～80℃ 20w/升
超声漂洗 ID 20min 常温 20w/升
超声漂洗 ID 20min 常温 20w/升
4、清洗的头尾边料：
碱洗中主要清洗目的是去掉切割液和附带物等杂质。切割下来的料放置时间过久会增加切割液和杂质的附着力，比如用完餐的碟子上的油脂，凝固了以后清洗时间会延长，清洗难度也增加了。如果时间过长、温度不宜或环境不好还会造成氧化等化学反应，就像日常用的水龙头，经常擦洗会一直光亮，长时间不擦洗，被氧化成花纹等不良后果，很难恢复到以前的样子。关于指纹的清洗工艺更难，原因有二：1、每个人分泌的手汗不同;2、每个人手指接触的地方不同。指纹带来的杂质比较复杂，有酸性、有碱性、有油性，并且这些杂质会在料表面产生物理和化学反应。我们对清洗没有指纹的硅料，用一种通用工艺就可以处理的。因此在清洗行业里指纹是最难清洗的一种杂质，要处理长时间裸放的硅料我们的工艺要增加浸泡槽，使杂质的附着力柔化。
对有裂纹的硅料和坩底料的碱洗尽量要让纹路裂开，因为杂质或氧化物在裂纹里很难清洗干净。如果没有氧化物在碱洗过程中碱液也会侵入到裂纹里，从而漂洗工艺里增加了难度。
