IGBT的基本驱动电路
1.IGBT的模型
IGBT的模型在教科书上能找到，其栅极G，相当于一个数纳法（nF）的小电容（暂时这样认为），动电压为-8V、+15V。实际使用时，如果采用光耦，例如A3120，其正压降约为2.5V，负压降几乎为零，因此，为了达到标准驱动电压，光耦前端的供电电压应为-8V、+17.5V。
（6）IGBT的栅极电容是非线性的，在导通电压和关断电压附近，其栅极电容相当于突然增大数倍，需要充入或者吸出较多电荷，因此，驱动电路的作用主要体现在导通和关断的转折点上，此时要提供较多电荷，具有较大的驱动电流，故驱动电路的主要电流是瞬时电流，频率很高荐值的3倍之间。
（5）栅极放电电阻，10k欧；栅极保护稳压二极管：18V/1W，头对头串联。
