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专利名称：一种高增益可见和近红外硅基光电探测器及其制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：吴强,赵丽,马寅星,杨明,陈战东,潘玉松,栗瑜梅,姚江
宏,张心正,许京军
申请号：CN201410012447.0申请日：20140102公开号：CN103715292A公开日：20140409
摘要：本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n型黑硅层之间形成n-n结，该n-n结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。
申请人：南开大学
地址：300071 天津市卫津路94号南开大学物理科学学院
国籍：CN
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