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专利名称:等离子体处理装置的零部件的清洁方法专利类型:发明专利
发明人:舟久保隆男,浅子竜一申请号:CN201910040416.9申请日:20190116公开号:CN110047727A公开日:20190723
摘要:本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中,在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯,第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在在内部空间中执行了基板处理之后,将因基板处理而在覆膜上形成的堆积物去除。为了去除堆积物,对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
申请人:东京毅力科创株式会社
地址:日本东京都
国籍:JP
代理机构:北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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