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专利名称：一种制备太阳能电池级硅材料的方法专利类型：发明专利
发明人：唐谟堂,唐朝波,杨声海,何静,刘维,鲁君乐,姚维义申请号：CN200610031434.3申请日：20060330公开号：CN1830776A公开日：20060913
摘要：一种制备太阳能电池级硅材料四氟化硅、二氧化硅及氟硅酸的方法，本发明采用植物硅源为原料，先将植物硅源焚烧成99％以上的二氧化硅，然后制成粗四氟化硅，经冷冻精馏提纯成太阳能电池级四氟化硅；也可以采用99％以上的石英矿作硅源。在技术路线上，先将99％的二氧化硅湿法提纯成99.99％以上的二氧化硅，再与高纯氢氟酸作用制成太阳能电池级四氟化硅。太阳能电池级四氟化硅可直接用于镀多晶硅膜，制作太阳能电池，或还原、电解制成高纯硅；太阳能电池级二氧化硅可电解制成高纯硅，或制作其他高纯硅化合物；氟硅酸和二氧化硅的混合物保存使用方便、安全。本发明过程简单、温度低、能耗低、成本低、环境友好和安全等优点。
申请人：中南大学
地址：410083 湖南沙市麓山南路1号
国籍：CN
代理机构：中南大学专利中心
代理人：胡燕瑜
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