（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310715286.7 （22）申请日 2013.12.23
（71）申请人 无锡中微晶园电子有限公司
地址 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
（10）申请公布号 CN103681242A
（43）申请公布日 2014.03.26
（72）发明人 李俊;陈杰;黄蕴;寇春梅
（74）专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所
代理人 曹祖良
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺
（57）摘要
本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处
理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤：（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层；（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700~900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm，等离子体处理功率为100~300W，温度为240~260℃，处理时间为20~40秒。步骤（1）所述金属层为
Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250~350℃。本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理，采用等离子体去胶设备完成，解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。
法律状态
法律状态公告日
2014-03-26 2014-04-23 2017-01-18
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
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公开
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权利要求说明书
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说明书
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