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专利名称：发光二极管专利类型：发明专利发明人：辛宗彦
申请号：CN200510001679.7申请日：20050203公开号：CN1652363A公开日：20050810
摘要：本发明涉及一种发光二极管。根据本发明，包括由具有不同于活动层附近的半导体层的折射率的材料制成的微透镜或突起的能减少光全反射的结构形成在活动层附近的半导体层内或表面上，从而能有效地引出发光二极管活动层产生的光以提高亮度。
申请人：LG电子有限公司
地址：韩国汉城
国籍：KR
代理机构：北京金信联合知识产权代理有限公司
代理人：南霆
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