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专利名称：半导造方法及半导体掩模结构专利类型：发明专利
发明人：黄怡,张海洋,赵林林,陈海华申请号：CN200810112802.6申请日：20080526公开号：CN101593688A公开日：20091202
摘要：本发明公开了一种半导造方法，该方法包括：在半导体基板上形成光刻胶层；用配置有掩模图形的掩模版对所述光刻胶层曝光；对曝光后的所述光刻胶层进行显影处理，形成刻蚀阻挡图形，分布越密集的所述刻蚀阻挡图形的特征尺寸越小；对所述刻蚀阻挡图形烘焙，使所述刻蚀阻挡图形从上表面至基板方向逐渐向四周扩张，并且分布越密集的刻蚀阻挡图形，上表面一侧的特征尺寸和基板一侧的特征尺寸差距越大；对具有所述刻蚀阻挡图形的半导体基板进行刻蚀。本发明使分布密度不同的刻蚀阻挡图形的基板一侧的特征尺寸的差别减小，从而使刻蚀之后与刻蚀阻挡图形对应的刻蚀图形的尺寸的不一致问题得到改善。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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