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专利名称：半导体器件和设计掩模的方法专利类型：发明专利
发明人：爱德华·O·特拉维斯,埃库特·邓基,赛加尔·彻达,杨达
群,马克·S·罗伯顿,田锐骐
申请号：CN00811015.8申请日：20000524公开号：CN1365516A公开日：20020821
摘要：应用抛光虚设特征图形的选择性放置,而不是不加区别地放置抛光虚设特征图形。检查形貌变化的低频(几百微米和更大的)和高频(10微米和更小的)两者。抛光虚设特征可以特别地适合于半导体器件和在形成半导体器件中使用的抛光条件。当设计集成电路时,可以预测有源特征的抛光效果。在抛光虚设特征图形被放置在布图中之后,可在局部程度(一部分但不是全部的器件)和比较全面的程度(全部的器件,与标线场对应的器件,或者甚至整个晶片)上检查平面度。
申请人：摩托罗拉公司
地址：美国伊利诺斯
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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