(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(21)申请号 CN201620751818.1 (22)申请日 2016.07.18
(71)申请人 苏州北鹏光电科技有限公司
地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城2号楼505室
(10)申请公布号 CN205863193U
(43)申请公布日 2017.01.04
(72)发明人 李冲;刘巧莉;丰亚洁;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 (74)专利代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 陆明耀
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
低暗电流高速PIN探测器
(57)摘要
本实用新型揭示了一种低暗电流高速PIN
探测器,包括衬底,所述衬底上生长有P型欧姆接触层,所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜,所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极,所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层,所述阻隔层上覆盖有增透膜,所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极,所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽,所述衬底下端面开设有第
二隔离沟槽,所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料,所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧,所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本实用新型能够有效减少器件内部的暗电流,效果优异,具有很高的使用及推广价值。
法律状态
法律状态公告日2017-01-04 2017-01-04 2017-08-25
法律状态信息
授权 授权
避免重复授权放弃专利权法律状态
授权 授权
避免重复授权放弃专利权
权利要求说明书
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说明书
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