专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种像素内PPD pinning电压的测量方法专利类型：发明专利
发明人：高静,龚雨琛,徐江涛,聂凯明申请号：CN201910303977.3申请日：20190416公开号：CN1101019A公开日：20190809
摘要：本发明公开一种像素内PPD pinning电压的测量方法，在4T像素结构上实现，在像素PPD远离FD节点一侧TD节点位置n+掺杂以改变像素内电势分布，设置M1管作为电荷注入选通管，pinning电压测试过程中，在电荷注入阶段，M1管选通，通过在TD节点注入电荷，调节注入电压V测量输出电压V，得到V‑V曲线并从中提取pinning电压，通过注入电压V实现测量pinnig电压V。本发明克服了JFET PPD测试结构存在的问题，pinnig电压测试过程中，在TD节点注入电荷来提取pinning电压，相比从FD节点注入，测试过程中不会受到TG电压影响。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市三利专利商标代理有限公司
代理人：韩新城
更多信息请下载全文后查看
